Filtruj według

Kategorie

Kategorie

Napięcie dren-źródło

Napięcie dren-źródło

Prąd drenu

Prąd drenu

Typ tranzystora

Typ tranzystora

Moc

Moc

Obudowa

Obudowa

Montaż

Montaż

Rezystancja w stanie przewodzenia

Rezystancja w stanie przewodzenia

Producent

Producent

Prąd kolektora

Prąd kolektora

Napięcie kolektor-emiter

Napięcie kolektor-emiter

Rodzaj tranzystora

Rodzaj tranzystora

Częstotliwość

Częstotliwość

Typ elementu

Typ elementu

Napięcie wsteczne

Napięcie wsteczne

Prąd przewodzenia maks.

Prąd przewodzenia maks.

Prąd bramki

Prąd bramki

Rodzaj układu scalonego

Rodzaj układu scalonego

Sterowanie bramki

Sterowanie bramki

Półprzewodniki

Półprzewodniki | APHElektra.com
Tranzystory Tranzystory
Tyrystory, triaki, diaki Tyrystory, triaki, diaki
Diody Diody
Mostki prostownicze Mostki prostownicze
Układy scalone, stabilizatory Układy scalone, stabilizatory
Osprzęt do półprzewodników Osprzęt do półprzewodników

Aktywne filtry

  • Producent: International Rectifier ×
  • Producent: LG Electronics ×
IRFZ44N tranzystor MOS-N-FET 55V,49A,94W TO220

3,90 zł
  • Bestseller

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 49A
Moc: 94W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 17,5mΩ
Montaż: przewlekany (THT)

ukł.scalony IR2101 DIL8

7,90 zł

Driver MOSFET,
Napięcie wyjściowe:620V,
Prąd wyjściowy:210mA,
Moc:1W,
2 wyjścia

IRF540N tranzystor MOS-N-FET 100V,33A,140W TO220

3,90 zł
  • Bestseller

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 100V
Prąd drenu: 33A
Moc: 140W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 44mΩ
Montaż: przewlekany (THT)

IRFB4228 tranzystor MOS-N-FET 150V, 83A, 330W, TO-220

14,99 zł

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 150V
Prąd drenu: 83A
Moc: 330W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 12mΩ
Montaż: przewlekany (THT)

BT152-600R tyrystor 20A, 650V, 32mA TO220

3,55 zł
  • Bestseller

Typ elementu: tyrystor

Napięcie wsteczne maks.: 650V

Prąd przewodzenia maks.: 20A

Prąd bramki: 32mA

Obudowa: TO-220

Montaż: THT

IRFP064N tranzystor MOS-N-FET 55V,110A,200W, TO247

14,80 zł
  • Bestseller

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 110A
Moc: 200W
Obudowa: TO247
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ
Montaż: przewlekany (THT)

Tranzystor może być z powodzeniem stosowany zamiast HUF75344G lub H80NF55

IRFP2907 tranzystor MOS-N-FET 75V,209A,330W, TO247

23,90 zł

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 75V
Prąd drenu: 209A
Moc: 330W
Obudowa: TO247
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5mΩ
Montaż: przewlekany (THT)

IRLR2905 tranzystor MOS-N-FET 55V,42A,110W DPAK (TO252)

2,90 zł
  • Bestseller

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET, Logic Level
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 42A
Moc: 110W
Obudowa: D-PAK (TO-252AA)
Napięcie bramka-źródło: 16V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)

IRLR3705Z tranzystor MOS-N-FET 55V 42A 130W DPAK(TO-252)

3,90 zł

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET, Logic Level
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 42A
Moc: 130W
Obudowa: D-PAK (TO-252AA)
Napięcie bramka-źródło: 16V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)

BC547C tranzystor SI-N 50V,0.1A,0.5W,300MHz TO92

1,25 zł
  • Bestseller

Cena za zestaw 5 sztuk tranzystorów.

Typ tranzystora: NPN     
Polaryzacja: bipolarny     
Napięcie kolektor-emiter: 50V     
Prąd kolektora: 100mA     
Moc: 500mW     
Obudowa: TO-92
Montaż: THT     
Częstotliwość: 300MHz

BC560C tranzystor SI-P 30V,0.1A,0.5W,150MHz TO92

1,00 zł

Cena za zestaw 5 sztuk tranzystorów.

Typ tranzystora: PNP     
Polaryzacja: bipolarny     
Napięcie kolektor-emiter: 30V     
Prąd kolektora: 100mA     
Moc: 500mW     
Obudowa: TO-92
Montaż: THT     
Częstotliwość: 150MHz

IRF4905 tranzystor MOS-P-FET 55V,74A,200W TO220

8,90 zł

Typ tranzystora: unipolarny, P-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 74A
Moc: 200W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ
Montaż: przewlekany (THT)

IRF7389 tranzystor MOS-N/P-FET 30V 7,3A/5,3A 2,5W 0,028ohm SO-8

4,50 zł

Typ tranzystora: N/P-MOSFET , unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu kanał N: 7.3A
Prąd drenu kanał P: 5.3A
Moc: 2.5W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał N: 29mΩ
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał P: 58mΩ
Montaż: SMD(powierzchniowy)

IRL6372 tranzystor dualMOS-N/N-FET 30V 8,1A 2W 0,018ohm SO-8

2,90 zł

Typ tranzystora: LogicLevel, N/N-MOSFET , unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu kanałów N: 8,1A
Moc: 2W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 12V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanałów N: 17,9mΩ
Montaż: SMD(powierzchniowy)

IRLR3636PBF tranzystor MOS-N-FET 60V 50A 143W DPAK(TO-252)

6,60 zł

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET, Logic Level
Napięcie dren-źródło: 60V
Prąd drenu: 50A
Moc: 143W
Obudowa: D-PAK (TO-252AA)
Napięcie bramka-źródło: 16V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,8mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)

IRLU024N tranzystor MOS-N-FET 55V 17A 45W I-PAK

3,50 zł
  • Bestseller

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET, Logic Level
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 17A
Moc: 45W
Obudowa: I-PAK (TO-251)
Napięcie bramka-źródło: 16V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ
Montaż: przewlekany (THT)

IRF7103 tranzystor dualMOS-N/P-FET 50V 3A/3A 2W 0,028ohm SO-8

2,50 zł

Typ tranzystora: N-MOSFET x2, unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 50V
Prąd drenu kanałów N: 3A
Moc: 2W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał N: 130mΩ
Rezystancja termiczna złącze-otoczenie: 62.5K/W
Montaż: SMD
Ładunek bramki: 12nC

IRFL4105 tranzystor MOS-N-FET 55V, 3.7A, 2.1W SOT223

1,90 zł

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 3.7A
Moc: 2.1W
Obudowa: SOT223
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)

IRFB3206 tranzystor MOS-N-FET 60V, 210A, 300W, TO-220

11,90 zł

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 60V
Prąd drenu: 232A
Moc: 294W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,6mΩ
Montaż: przewlekany (THT)