Filtruj według

Kategorie

Kategorie

Napięcie dren-źródło

Napięcie dren-źródło

Prąd drenu

Prąd drenu

Typ tranzystora

Typ tranzystora

Moc

Moc

Obudowa

Obudowa

Montaż

Montaż

Rezystancja w stanie przewodzenia

Rezystancja w stanie przewodzenia

Producent

Producent

Prąd kolektora

Prąd kolektora

Napięcie kolektor-emiter

Napięcie kolektor-emiter

Rodzaj tranzystora

Rodzaj tranzystora

Napięcie wyjściowe

Napięcie wyjściowe

Prąd wyjściowy

Prąd wyjściowy

Rodzaj stabilizatora

Rodzaj stabilizatora

Rodzaj układu scalonego

Rodzaj układu scalonego

Sterowanie bramki

Sterowanie bramki

Półprzewodniki

Półprzewodniki | APHElektra.com

Aktywne filtry

  • Producent: International Rectifier ×
  • Producent: National Semiconductor ×
3,90 zł
  • Bestseller

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 49A
Moc: 94W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 17,5mΩ
Montaż: przewlekany (THT)

7,90 zł

Driver MOSFET,
Napięcie wyjściowe:620V,
Prąd wyjściowy:210mA,
Moc:1W,
2 wyjścia

3,90 zł
  • Bestseller

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 100V
Prąd drenu: 33A
Moc: 140W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 44mΩ
Montaż: przewlekany (THT)

8,90 zł

stabilizator napięcia, impulsowy, nieregulowany

przetwornica DC-DC step down
Napięcie wejściowe: 4.5...40V
Napięcie wyjściowe: 3.3V DC
Prąd wyjściowy: 3A
Obudowa: TO-220-5
Montaż: THT(przewlekany)
Częstotliwość: 150kHz

14,99 zł

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 150V
Prąd drenu: 83A
Moc: 330W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 12mΩ
Montaż: przewlekany (THT)

9,80 zł

stabilizator napięcia, impulsowy, nieregulowany

przetwornica DC-DC step down
Napięcie wejściowe: 4.5...40V
Napięcie wyjściowe: 5V DC
Prąd wyjściowy: 3A
Obudowa: TO-220-5
Montaż: THT(przewlekany)
Częstotliwość: 150kHz

14,80 zł
  • Bestseller

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 110A
Moc: 200W
Obudowa: TO247
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ
Montaż: przewlekany (THT)

Tranzystor może być z powodzeniem stosowany zamiast HUF75344G lub H80NF55

23,90 zł

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 75V
Prąd drenu: 209A
Moc: 330W
Obudowa: TO247
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5mΩ
Montaż: przewlekany (THT)

2,90 zł
  • Bestseller

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET, Logic Level
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 42A
Moc: 110W
Obudowa: D-PAK (TO-252AA)
Napięcie bramka-źródło: 16V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)

3,90 zł

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET, Logic Level
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 42A
Moc: 130W
Obudowa: D-PAK (TO-252AA)
Napięcie bramka-źródło: 16V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)

8,90 zł

Typ tranzystora: unipolarny, P-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 74A
Moc: 200W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ
Montaż: przewlekany (THT)

4,40 zł

liniowy stabilizator napięcia nieregulowany LDO

Napięcie wyjściowe: +5V
Prąd wyjściowy: 0.8A
Tolerancja: 1.0%
Napięcie dropout: 1.1V
Montaż: przewlekany (THT)
Obudowa TO220
Grubość radiatora 1.2mm (double gauge)

4,50 zł

Typ tranzystora: N/P-MOSFET , unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu kanał N: 7.3A
Prąd drenu kanał P: 5.3A
Moc: 2.5W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał N: 29mΩ
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał P: 58mΩ
Montaż: SMD(powierzchniowy)

2,90 zł

Typ tranzystora: LogicLevel, N/N-MOSFET , unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu kanałów N: 8,1A
Moc: 2W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 12V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanałów N: 17,9mΩ
Montaż: SMD(powierzchniowy)

6,60 zł

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET, Logic Level
Napięcie dren-źródło: 60V
Prąd drenu: 50A
Moc: 143W
Obudowa: D-PAK (TO-252AA)
Napięcie bramka-źródło: 16V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,8mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)

3,50 zł
  • Bestseller

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET, Logic Level
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 17A
Moc: 45W
Obudowa: I-PAK (TO-251)
Napięcie bramka-źródło: 16V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ
Montaż: przewlekany (THT)

2,50 zł

Typ tranzystora: N-MOSFET x2, unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 50V
Prąd drenu kanałów N: 3A
Moc: 2W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał N: 130mΩ
Rezystancja termiczna złącze-otoczenie: 62.5K/W
Montaż: SMD
Ładunek bramki: 12nC

1,90 zł

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 3.7A
Moc: 2.1W
Obudowa: SOT223
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)

11,90 zł

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 60V
Prąd drenu: 232A
Moc: 294W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,6mΩ
Montaż: przewlekany (THT)