Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 110A
Moc: 170W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 110A
Moc: 200W
Obudowa: TO247
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
Tranzystor może być z powodzeniem stosowany zamiast HUF75344G lub H80NF55
Typ tranzystora: unipolarny, P-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 74A
Moc: 200W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: LogicLevel, N/N-MOSFET , unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu kanałów N: 8,1A
Moc: 2W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 12V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanałów N: 17,9mΩ
Montaż: SMD(powierzchniowy)
Typ tranzystora: N-MOSFET x2, unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 50V
Prąd drenu kanałów N: 3A
Moc: 2W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał N: 130mΩ
Rezystancja termiczna złącze-otoczenie: 62.5K/W
Montaż: SMD
Ładunek bramki: 12nC
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 90V
Prąd kolektora: 30A
Moc: 200W
Obudowa: TO-3
Montaż: THT
Tranzystor mocy popularnie stosowany w różnego rodzaju układach wzmacniaczy oraz w motoryzacji.
Typ tranzystora: bipolarny, PNP, Darlington
Napięcie kolektor-emiter: 120V
Prąd kolektora: 30A
Moc: 200W
Obudowa: TO3
Częstotliwość: 4Mhz
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: PNP
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 250V
Prąd kolektora: 100mA
Moc: 2W
Obudowa: TO-126
Montaż: THT
Częstotliwość: 60MHz
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 40V
Prąd kolektora: 50mA
Moc: 360mW
Obudowa: TO-18
Montaż: THT
Częstotliwość: 400MHz