- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 400V
Prąd drenu: 10A
Moc: 125W
Obudowa: TO220AB
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: LogicLevel, N/N-MOSFET , unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu kanałów N: 8,1A
Moc: 2W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 12V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanałów N: 17,9mΩ
Montaż: SMD(powierzchniowy)
Typ tranzystora: PNP
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 115V
Prąd kolektora: 25A
Moc: 125W
Obudowa: TO-247
Montaż: THT
Częstotliwość: 3MHz
Odpowiednik dla: BD250C
- Bestseller
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 115V
Prąd kolektora: 25A
Moc: 125W
Obudowa: TO-247
Montaż: THT
Częstotliwość: 3MHz
Odpowiednik dla: BD249C
Typ tranzystora: N-MOSFET x2, unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 50V
Prąd drenu kanałów N: 3A
Moc: 2W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał N: 130mΩ
Rezystancja termiczna złącze-otoczenie: 62.5K/W
Montaż: SMD
Ładunek bramki: 12nC
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 1000/450V
Prąd kolektora: 5A
Moc: 20W
Obudowa: TO220 izolowana
Montaż: THT
Typ tranzystora: PNP
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 250V
Prąd kolektora: 100mA
Moc: 2W
Obudowa: TO-126
Montaż: THT
Częstotliwość: 60MHz