- Bestseller
Cena za zestaw 5 sztuk tranzystorów.
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET
Napięcie dren-źródło: 60V
Prąd drenu: 0,2A
Moc: 350mW
Obudowa: TO-92
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 5Ω
Montaż: przewlekany (THT)
Zamiennik dla: BS170, BST170, BST72, 2SK1337
- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET
Napięcie dren-źródło: 600V
Prąd drenu: 10A
Moc: 35W
Obudowa: TO220FP izolowana
Napięcie bramka-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,75Ω
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET
Napięcie dren-źródło: 600V
Prąd drenu: 4A
Moc: 25W
Obudowa: TO220FB izolowana
Napięcie bramka-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET
Napięcie dren-źródło: 60V
Prąd drenu: 60A
Moc: 150W
Obudowa: TO220
Rezystancja w stanie przewodzenia: 12mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: N/P-MOSFET , unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu kanał N: 7.3A
Prąd drenu kanał P: 5.3A
Moc: 2.5W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał N: 29mΩ
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał P: 58mΩ
Montaż: SMD(powierzchniowy)
Typ tranzystora: LogicLevel, N/N-MOSFET , unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu kanałów N: 8,1A
Moc: 2W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 12V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanałów N: 17,9mΩ
Montaż: SMD(powierzchniowy)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET, Logic Level
Napięcie dren-źródło: 60V
Prąd drenu: 50A
Moc: 143W
Obudowa: D-PAK (TO-252AA)
Napięcie bramka-źródło: 16V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,8mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Typ tranzystora: unipolarny, P-MOSFET, STripFET II
Napięcie dren-źródło: 60V
Prąd drenu: 2.5A
Moc: 2.5W
Obudowa: SOT223
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω
Montaż: powierzchniowy (SMD)
- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, P-MOSFET,
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu: 4,3A
Moc: 1.4W
Obudowa: SOT23
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 48mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu: 5A
Moc: 1.3W
Obudowa: SOT23
Napięcie bramka-źródło: 12V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 37mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 60V
Prąd drenu: 232A
Moc: 294W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,6mΩ
Montaż: przewlekany (THT)