- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 49A
Moc: 94W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 17,5mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
- Bestseller
Typ tranzystora: PNP
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 30V
Prąd kolektora: 100mA
Moc: 300mW
Obudowa: TO-92
Montaż: THT
Częstotliwość: 130MHz
Cena za zestaw 10 sztuk tranzystorów.
Napięcie dren-źródło: 160V
Prąd drenu: 7A
Moc: 100W
Obudowa: TO-3
Napięcie bramka-źródło: 14V
Montaż: przewlekany (THT)
- Bestseller
Typ tranzystora: PNP
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 60V
Prąd kolektora:1A
Moc: 800mW
Obudowa: TO-39
Montaż: THT
Częstotliwość: 200MHz
2N2904
Zamiennik dla: BC313
- Bestseller
Cena za zestaw 5 sztuk tranzystorów.
Tranzystor PNP ogólnego przeznaczenia, do zastosowań we wzmacniaczach wysokonapięciowych.
Typ tranzystora: bipolarny, PNP
Napięcia kolektor-emiter: 160V
Prąd kolektora: 600mA
Moc: 350mW
Obudowa: TO92
Montaż: przewlekany (THT)
Częstotliwość: 400MHz
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 110A
Moc: 170W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 100V
Prąd drenu: 33A
Moc: 140W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 44mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: bipolarny, PNP
Napięcia kolektor-emiter: 120V
Prąd kolektora: 100mA
Moc: 300mW
Obudowa: TO92
Montaż: przewlekany (THT)
Częstotliwość: 100MHz
2SA970 niskoszumowy (low noise)
Tranzystor PNP ogólnego przeznaczenia, do zastosowań jako sterujący we wzmacniaczach wysokonapięciowych.
komplementarny do: 2SD1684
Typ tranzystora: bipolarny, PNP
Napięcia kolektor-emiter: 100V
Prąd kolektora: 1,5A
Moc: 10W
Obudowa: TO126, izolowana
Montaż: przewlekany (THT)
Częstotliwość: 120MH
- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 400V
Prąd drenu: 10A
Moc: 125W
Obudowa: TO220AB
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 150V
Prąd drenu: 83A
Moc: 330W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 12mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 110A
Moc: 200W
Obudowa: TO247
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
Tranzystor może być z powodzeniem stosowany zamiast HUF75344G lub H80NF55
- Bestseller
Cena za zestaw 5 sztuk tranzystorów.
Typ tranzystora: PNP
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 50V
Prąd kolektora: 100mA
Moc: 300mW
Obudowa: CB13
Montaż: THT
Częstotliwość: 130MHz
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 75V
Prąd drenu: 209A
Moc: 330W
Obudowa: TO247
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 500V
Prąd drenu: 14A
Moc: 190W
Obudowa: TO247
Montaż: przewlekany (THT)
- Bestseller
Cena za zestaw 5 sztuk tranzystorów.
Typ tranzystora: PNP
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 50V
Prąd kolektora: 800mA
Moc: 625mW
Obudowa: TO-92
Montaż: THT
Częstotliwość: 100MHz
- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET, Logic Level
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 42A
Moc: 110W
Obudowa: D-PAK (TO-252AA)
Napięcie bramka-źródło: 16V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET, Logic Level
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 42A
Moc: 130W
Obudowa: D-PAK (TO-252AA)
Napięcie bramka-źródło: 16V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Typ tranzystora: PNP
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 180V
Prąd kolektora: 100mA
Moc: 400mW
Obudowa: TO-92
Montaż: THT
Częstotliwość: 120MHz
- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET, Logic Level
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 47A
Moc: 110W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 16V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
- Bestseller
Cena za zestaw 5 sztuk tranzystorów.
Typ tranzystora: PNP, Darlington
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 40V
Prąd kolektora: 400mA
Moc: 625mW
Obudowa: TO-92
Montaż: THT
Częstotliwość: 250MHz
- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET
Napięcie dren-źródło: 600V
Prąd drenu: 10A
Moc: 35W
Obudowa: TO220FP izolowana
Napięcie bramka-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,75Ω
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET
Napięcie dren-źródło: 600V
Prąd drenu: 4A
Moc: 25W
Obudowa: TO220FB izolowana
Napięcie bramka-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET
Napięcie dren-źródło: 60V
Prąd drenu: 60A
Moc: 150W
Obudowa: TO220
Rezystancja w stanie przewodzenia: 12mΩ
Montaż: przewlekany (THT)