Filtruj według

Kategorie

Kategorie

Napięcie dren-źródło

Napięcie dren-źródło

Prąd drenu

Prąd drenu

Typ tranzystora

Typ tranzystora

Moc

Moc

Obudowa

Obudowa

Montaż

Montaż

Rezystancja w stanie przewodzenia

Rezystancja w stanie przewodzenia

Producent

Producent

Rodzaj tranzystora

Rodzaj tranzystora

Typ diody

Typ diody

Napięcie przebicia

Napięcie przebicia

Prąd w impulsie maks.

Prąd w impulsie maks.

Napięcie wyjściowe

Napięcie wyjściowe

Prąd wyjściowy

Prąd wyjściowy

Rodzaj stabilizatora

Rodzaj stabilizatora

Rodzaj układu scalonego

Rodzaj układu scalonego

Sterowanie bramki

Sterowanie bramki

Półprzewodniki

Półprzewodniki | APHElektra.com

Aktywne filtry

  • Obudowa: DO-27 ×
  • Obudowa: SO-8 ×
0,78 zł

Komparator różnicowy

Czas propagacji: 300ns

Napięcie zasilania: 2-36V DC

Obudowa: SO-8

Liczba kanałów: 2

Montaż: powierzchniowy (SMD)

7,90 zł

Driver MOSFET,
Napięcie wyjściowe:620V,
Prąd wyjściowy:210mA,
Moc:1W,
2 wyjścia

0,99 zł
  • Bestseller

Astable/monostable, timer

Częstotliwość 500kHz

Napięcie zasilania: 4.5 - 16V DC

Prąd zasilania DC: 10mA

Montaż: powierzchniowy (SMD)

Obudowa: SO8

9,79 zł

Interfejs CAN (nadajnik/odbiornik)

Liczba kanałów: 2

Napięcie zasilania: 5V DC

Obudowa: SO8

Montaż: powierzchniowy (SMD)

1,15 zł

Wzmacniacz operacyjny

Liczba kanałów: 2

Pasmo przenoszenia: 1MHz

Napięcie zasilania: 3-32V DC

Montaż: powierzchniowy (SMD)

Obudowa: SO-8

0,70 zł

Wzmacniacz operacyjny, niskoszumny

Liczba kanałów: 2

Pasmo przenoszenia: 3MHz

Napięcie zasilania: +/-3.5 ÷ +/-18V DC

Montaż: powierzchniowy (SMD)

Obudowa: SO-8

0,46 zł

liniowy stabilizator napięcia nieregulowany
Napięcie wyjściowe 5V
Prąd wyjściowy 0.1A
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Obudowa SO-8

0,46 zł

liniowy stabilizator napięcia nieregulowany
Napięcie wyjściowe 12V
Prąd wyjściowy 0.1A
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Obudowa SO-8

4,50 zł

Typ tranzystora: N/P-MOSFET , unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu kanał N: 7.3A
Prąd drenu kanał P: 5.3A
Moc: 2.5W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał N: 29mΩ
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał P: 58mΩ
Montaż: SMD(powierzchniowy)

2,90 zł

Typ tranzystora: LogicLevel, N/N-MOSFET , unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu kanałów N: 8,1A
Moc: 2W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 12V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanałów N: 17,9mΩ
Montaż: SMD(powierzchniowy)

2,50 zł

Typ tranzystora: N-MOSFET x2, unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 50V
Prąd drenu kanałów N: 3A
Moc: 2W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał N: 130mΩ
Rezystancja termiczna złącze-otoczenie: 62.5K/W
Montaż: SMD
Ładunek bramki: 12nC