źródło napięcia odniesienia
Napięcie wyjściowe: 1,2V,
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Obudowa: SO-8
Komparator różnicowy
Czas propagacji: 300ns
Napięcie zasilania: 2-36V DC
Obudowa: SO-8
Liczba kanałów: 2
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Rodzaj stabilizatora: regulowany
Napięcie wyjściowe: 1.2 - 37V
Prąd wyjściowy: 0,1A
Obudowa: SO-8
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Driver MOSFET,
Napięcie wyjściowe:620V,
Prąd wyjściowy:210mA,
Moc:1W,
2 wyjścia
- Bestseller
Astable/monostable, timer
Częstotliwość 500kHz
Napięcie zasilania: 4.5 - 16V DC
Prąd zasilania DC: 10mA
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Obudowa: SO8
Interfejs CAN (nadajnik/odbiornik)
Liczba kanałów: 2
Napięcie zasilania: 5V DC
Obudowa: SO8
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Tranzystor PNP ogólnego przeznaczenia, do zastosowań jako sterujący we wzmacniaczach wysokonapięciowych.
komplementarny do: 2SD1684
Typ tranzystora: bipolarny, PNP
Napięcia kolektor-emiter: 100V
Prąd kolektora: 1,5A
Moc: 10W
Obudowa: TO126, izolowana
Montaż: przewlekany (THT)
Częstotliwość: 120MH
Tranzystor NPN ogólnego przeznaczenia, do zastosowań jako sterujący we wzmacniaczach wysokonapięciowych.
komplementarny do 2SB1144
Typ tranzystora: bipolarny, NPN
Napięcia kolektor-emiter: 100V
Prąd kolektora: 1,5A
Moc: 10W
Obudowa: TO126 izolowana
Montaż: przewlekany (THT)
Częstotliwość: 120MHz
Wzmacniacz operacyjny
Liczba kanałów: 2
Pasmo przenoszenia: 1MHz
Napięcie zasilania: 3-32V DC
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Obudowa: SO-8
Wzmacniacz operacyjny, niskoszumny
Liczba kanałów: 2
Pasmo przenoszenia: 3MHz
Napięcie zasilania: +/-3.5 ÷ +/-18V DC
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Obudowa: SO-8
liniowy stabilizator napięcia nieregulowany
Napięcie wyjściowe 5V
Prąd wyjściowy 0.1A
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Obudowa SO-8
liniowy stabilizator napięcia nieregulowany
Napięcie wyjściowe 12V
Prąd wyjściowy 0.1A
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Obudowa SO-8
liniowy stabilizator napięcia nieregulowany
Napięcie wyjściowe 24V
Prąd wyjściowy 0.6A
Montaż: przewlekany (THT)
Obudowa TO-126
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 300V
Prąd kolektora: 500mA
Moc: 17,5W
Obudowa: TO-126
Montaż: THT
Typ tranzystora: N/P-MOSFET , unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu kanał N: 7.3A
Prąd drenu kanał P: 5.3A
Moc: 2.5W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał N: 29mΩ
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał P: 58mΩ
Montaż: SMD(powierzchniowy)
Typ tranzystora: LogicLevel, N/N-MOSFET , unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu kanałów N: 8,1A
Moc: 2W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 12V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanałów N: 17,9mΩ
Montaż: SMD(powierzchniowy)
Typ tranzystora: N-MOSFET x2, unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 50V
Prąd drenu kanałów N: 3A
Moc: 2W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał N: 130mΩ
Rezystancja termiczna złącze-otoczenie: 62.5K/W
Montaż: SMD
Ładunek bramki: 12nC
- Bestseller
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 400V
Prąd kolektora: 1,5A
Moc: 40W
Obudowa: TO-126
Montaż: THT
- Bestseller
Cena za zestaw 5 sztuk tranzystorów.
Typ tranzystora: PNP
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 45V
Prąd kolektora: 1,5A
Moc: 12,5W
Obudowa: TO-126
Montaż: THT
Częstotliwość: 50MHz
- Bestseller
Cena za zestaw 5 sztuk tranzystorów.
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 60V
Prąd kolektora: 1,5A
Moc: 12,5W
Obudowa: TO-126
Montaż: THT
Częstotliwość: 50MHz
- Wyprzedaż!
Typ tranzystora: PNP
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 60V
Prąd kolektora: 1,5A
Moc: 12,5W
Obudowa: TO-126
Montaż: THT
Częstotliwość: 50MHz
- Bestseller
Cena za zestaw 5 sztuk tranzystorów.
Komplementarny do: BD140-16
Typ tranzystora: bipolarny, NPN
Napięcia kolektor-emiter: 80V
Prąd kolektora: 1,5A
Moc: 12,5W
Obudowa: TO126
Montaż: przewlekany (THT)
- Bestseller
Cena za zestaw 5 sztuk tranzystorów.
Typ tranzystora: bipolarny, PNP
Napięcia kolektor-emiter: 100V
Prąd kolektora: 1,5A
Moc: 12,5W
Obudowa: TO126
Montaż: przewlekany (THT)