źródło napięcia odniesienia
Napięcie wyjściowe: 1,2V,
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Obudowa: SO-8
Komparator różnicowy
Czas propagacji: 300ns
Napięcie zasilania: 2-36V DC
Obudowa: SO-8
Liczba kanałów: 2
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Napięcie dren-źródło: 160V
Prąd drenu: 7A
Moc: 100W
Obudowa: TO-3
Napięcie bramka-źródło: 14V
Montaż: przewlekany (THT)
Rodzaj stabilizatora: regulowany
Napięcie wyjściowe: 1.2 - 37V
Prąd wyjściowy: 0,1A
Obudowa: SO-8
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Driver MOSFET,
Napięcie wyjściowe:620V,
Prąd wyjściowy:210mA,
Moc:1W,
2 wyjścia
- Bestseller
Astable/monostable, timer
Częstotliwość 500kHz
Napięcie zasilania: 4.5 - 16V DC
Prąd zasilania DC: 10mA
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Obudowa: SO8
Interfejs CAN (nadajnik/odbiornik)
Liczba kanałów: 2
Napięcie zasilania: 5V DC
Obudowa: SO8
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Wzmacniacz operacyjny
Liczba kanałów: 2
Pasmo przenoszenia: 1MHz
Napięcie zasilania: 3-32V DC
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Obudowa: SO-8
Wzmacniacz operacyjny, niskoszumny
Liczba kanałów: 2
Pasmo przenoszenia: 3MHz
Napięcie zasilania: +/-3.5 ÷ +/-18V DC
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Obudowa: SO-8
Liniowy stabilizator napięcia nieregulowany
Napięcie wyjściowe 18V
Prąd wyjściowy 1.5A
Montaż: przewlekany (THT)
Obudowa TO-3
liniowy stabilizator napięcia nieregulowany
Napięcie wyjściowe 5V
Prąd wyjściowy 0.1A
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Obudowa SO-8
liniowy stabilizator napięcia nieregulowany
Napięcie wyjściowe 12V
Prąd wyjściowy 0.1A
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Obudowa SO-8
Typ tranzystora: N/P-MOSFET , unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu kanał N: 7.3A
Prąd drenu kanał P: 5.3A
Moc: 2.5W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał N: 29mΩ
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał P: 58mΩ
Montaż: SMD(powierzchniowy)
Typ tranzystora: LogicLevel, N/N-MOSFET , unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu kanałów N: 8,1A
Moc: 2W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 12V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanałów N: 17,9mΩ
Montaż: SMD(powierzchniowy)
Typ tranzystora: N-MOSFET x2, unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 50V
Prąd drenu kanałów N: 3A
Moc: 2W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał N: 130mΩ
Rezystancja termiczna złącze-otoczenie: 62.5K/W
Montaż: SMD
Ładunek bramki: 12nC
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 90V
Prąd kolektora: 30A
Moc: 200W
Obudowa: TO-3
Montaż: THT
Tranzystor mocy popularnie stosowany w różnego rodzaju układach wzmacniaczy oraz w motoryzacji.
Typ tranzystora: bipolarny, PNP, Darlington
Napięcie kolektor-emiter: 120V
Prąd kolektora: 30A
Moc: 200W
Obudowa: TO3
Częstotliwość: 4Mhz
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: PNP
Producent: TUNGSRAM
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 100V
Prąd kolektora: 15A
Moc: 117W
Obudowa: TO-3
Montaż: THT
Częstotliwość: 4MHz
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 800/375V
Prąd kolektora:6A
Moc: 60W
Obudowa: TO3
Montaż: THT
Typ tranzystora: NPN, Darlington
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 500/350V
Prąd kolektora:10A
Moc: 175W
Obudowa: TO3
Montaż: THT
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 1700/800V
Prąd kolektora:4A
Moc: 12,5W
Obudowa: TO3
Montaż: THT
Typ tranzystora: NPN z diodą
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 1500/700V
Prąd kolektora:5A
Moc: 12,5W
Obudowa: TO3
Montaż: THT
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 1500/700V
Prąd kolektora:2,5A
Moc: 10W
Obudowa: TO3
Montaż: THT