Filtruj według

Kategorie

Kategorie

Napięcie dren-źródło

Napięcie dren-źródło

Prąd drenu

Prąd drenu

Typ tranzystora

Typ tranzystora

Moc

Moc

Obudowa

Obudowa

Rezystancja w stanie przewodzenia

Rezystancja w stanie przewodzenia

Producent

Producent

Prąd kolektora

Prąd kolektora

Napięcie kolektor-emiter

Napięcie kolektor-emiter

Rodzaj tranzystora

Rodzaj tranzystora

Częstotliwość

Częstotliwość

Sterowanie bramki

Sterowanie bramki

Tranzystory

Tranzystory | APHElektra.com

Aktywne filtry

  • Obudowa: SO-8 ×
  • Obudowa: SOT-23 ×
1,00 zł

Cena za zestaw 10 sztuk tranzystorów.

Typ tranzystora: PNP     
Polaryzacja: bipolarny     
Napięcie kolektor-emiter: 45V     
Prąd kolektora: 500mA     
Moc: 250mW     
Obudowa: SOT-23
Montaż: SMD     
Częstotliwość: 100MHz

2,50 zł
  • Bestseller

Typ tranzystora: NPN     
Polaryzacja: bipolarny     
Napięcie kolektor-emiter: 50V     
Prąd kolektora: 100mA     
Moc: 250mW     
Obudowa: SOT-23
Montaż: SMD     
Częstotliwość: 300MHz

Cena za komplet-10sztuk tranzystorów.

2,50 zł
  • Bestseller

Cena za zestaw 10 sztuk tranzystorów.

Typ tranzystora: PNP     
Polaryzacja: bipolarny     
Napięcie kolektor-emiter: 50V     
Prąd kolektora: 100mA     
Moc: 250mW     
Obudowa: SOT-23
Montaż: SMD     
Częstotliwość: 150MHz

Cena za komplet-10 sztuk tranzystorów.

4,50 zł

Typ tranzystora: N/P-MOSFET , unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu kanał N: 7.3A
Prąd drenu kanał P: 5.3A
Moc: 2.5W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał N: 29mΩ
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał P: 58mΩ
Montaż: SMD(powierzchniowy)

2,90 zł

Typ tranzystora: LogicLevel, N/N-MOSFET , unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu kanałów N: 8,1A
Moc: 2W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 12V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanałów N: 17,9mΩ
Montaż: SMD(powierzchniowy)

2,50 zł

Typ tranzystora: N-MOSFET x2, unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 50V
Prąd drenu kanałów N: 3A
Moc: 2W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał N: 130mΩ
Rezystancja termiczna złącze-otoczenie: 62.5K/W
Montaż: SMD
Ładunek bramki: 12nC

0,65 zł
  • Bestseller

Typ tranzystora: unipolarny, P-MOSFET,
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu: 4,3A
Moc: 1.4W
Obudowa: SOT23
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 48mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)

0,97 zł

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu: 5A
Moc: 1.3W
Obudowa: SOT23
Napięcie bramka-źródło: 12V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 37mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)